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从上图的I2C接口ESD静电保护方案中可以看出,器件选用的是东沃电子自主研发、生产的TVS二极管阵列:DW05DLC-B-S(SOD-323封装),响应速度快、低结电容、低漏电流、封装体积小、节约PCB空间,便于工程师设计。东沃I2C接口ESD静电保护方案满足IEC61000-4-2,接触放电8KV,空气放电15KV。
100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案有很多,接下来要分享的是TVS瞬态电压抑制二极管5.0SMDJ58CA、SMCJ58CA和ESD静电保护二极管DW03DLC-B在100M百兆POE接口防护方案中的应用,具体方案图如下:
从LVDS接口静电和电磁干扰防护设计方案图可知,电路保护器件选用了TVS二极管阵列DWCM5412P(DFN26135-10L封装)和DW05-2R2P(DFN26135-10L封装)为LVDS接口保驾护航。此方案符合IEC61000-4-2 Contact:8KV;Air:15KV。想了解更多有关LVDS接口ESD和EMI保护,可与东沃电子工程师沟通交流。
从SD卡端口静电保护方案图中可以看出,电路保护器件选用了超低结电容ESD静电保护二极管DW05DTF-B,封装DFN1006-2L,结电容0.5pF;DW3.3-5RVP,封装DFN1616-6L,结电容0.6pF;低漏电流,响应速率快,封装体积小,节约PCB空间。此方案满足ESD IEC 61000-4-2 Level4 Contact Discharge:8KV,Air Discharge:15KV。
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